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Transistor Mosfet Mdd14n25 14n25 To252 Smd

Atualizado em 14/08/2025

Transistor Mosfet Mdd14n25 14n25 To252 Smd Foto 1
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Descrição e Detalhes do Produto

Conheça o Transistor MOSFET MDD14N25, um componente indispensável para seus projetos eletrônicos, especialmente quando se trata de placas de ar condicionado inverter. Este kit vem com duas peças, garantindo que você não fique sem o que precisa para suas aplicações. O MDD14N25 foi projetado para oferecer desempenho confiável e eficiente, sendo perfeito para circuitos que exigem alta performance. Seu design TO252 o torna fácil de instalar e integrar em diversos sistemas. Este transistor é um verdadeiro aliado na condução de alta corrente e potência, suportando até 10.2 A de corrente máxima e 69.8 W de potência máxima. Sua voltagem máxima suportada é de 250V, o que lhe permite ser usado em uma ampla variedade de aplicações. Adquira agora este componente da marca SYDZ, que garante qualidade e durabilidade, e não deixe suas necessidades eletrônicas sem atendimento! Recursos: - Suporte para alto desempenho - Alta resistência térmica - Capacidade de gerenciamento de energia - Baixa resistência de onda de fronte - Alta velocidade de transição - Operação em temperatura ambiente ampla - Proteção contra sobrecorrente - Estabilidade elétrica - Longa vida útil - Resistente a vibrações e impactos Características: - Projeto especial para placas de ar condicionado inverter - Encapsulamento TO252 para melhor resistência térmica - Suporta corrente máxima de 10.2 A - Potência máxima de 69.8 W - Voltagem máxima suportada de 250V - Dados técnicos precisos e confiáveis - Design compacto e robusto - Ideal para circuitos que exigem alta performance - Componente novo, garantindo qualidade e durabilidade - Facilidade de e integração Especificações: - Modelo: MDD14N25 - Marca: SYDZ - Tipo: Transistor MOSFET - Encapsulamento: TO252 - Corrente Máxima: 10.2 A - Potência Máxima: 69.8 W - Voltagem Máxima Suportada: 250V - Tensão de Operação: 10V a 250V - Resistência de Onda de Fronte (Ron): <0.3? (Max) - Velocidade de Transição (trrds): 20ns (Max) - Velocidade de Transição (tfd): 20ns (Max) - Tempo de Repouso (ton): 20ns (Max) - Tempo de Repouso (toff): 20ns (Max) - Tempo de Transição (tst): 40ns (Max) - Capacidade de Tensão de Gama: 10V a 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vgs): 10V a 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vds): 250V - Capacidade de Tensão de Ressonância (Vrrm): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vth): 4V a 7V - Capacidade de Tensão de Ressonância (Vrwm): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vdssat): 2V a 3V - Capacidade de Tensão de Gama (Vgsmax): 10V - Capacidade de Tensão de Gama (Vgsm): 10V - Capacidade de Tensão de Gama (Vdsm): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrms): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrds): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdsmax): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdsmin): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdsavg): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdsrms): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeak): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakmax): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakmin): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakavg): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakrms): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakpeak): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakpeakmax): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakpeakmin): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakpeakavg): 250V - Capacidade de Tensão de Gama (Vrdspeakpeakrms): 250V

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Natan Mascarenha da silva