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Descrição e Detalhes do Produto
O Transistor IRF6775 é uma solução de alta potência para sua necessidade de eletrônica de montagem superficial. Com sua construção em formato SMD, ele proporciona uma integração perfeita em circuitos compactos e eficientes, permitindo comutação rápida e controle preciso de cargas elevadas. Este dispositivo é perfeito para quem busca uma opção confiável e eficiente em seu projeto eletrônico, seja para amplificadores de áudio, fontes de alimentação chaveadas, sistemas de gerenciamento de bateria ou qualquer outra aplicação que exija desempenho robusto e montagem superficial.
Recursos:
- Controle de alta potência
- Ferramenta essencial para amplificadores de áudio
- Componente vital para fontes de alimentação chaveadas
- Elemento fundamental em sistemas de gerenciamento de bateria
- Capacidade de lidar com correntes elevadas
- Suporte a tensões operacionais significativas
- Redução de perdas térmicas
- Compatibilidade com diferentes tecnologias de circuitos
- Facilidade de uso em projetos de engenharia eletrônica
- Opção duradoura e econômica para muitas aplicações
Características:
- Operação em altas correntes e tensões
- Construção em formato SMD (Superficial Montagem)
- Desempenho confiável e eficiente
- Adequado para diversos tipos de aplicativos
- Permite comutação rápida e controle preciso
- Ótima opção para projetos de eletrônica de potência
- Suporta uma variedade de usos, desde eletrônicos de consumo até equipamentos industriais e médicos
- Compatível com montagens superficiais, facilitando a integração em circuitos compactos
- Possui baixa resistência de onda de frente, melhorando a eficiência energética
- Design robusto para suportar ambientes operacionais severos
Especificações:
- Nome do produto: Transistor IRF6775 - SMD
- Tipo de dispositivo: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência
- Tensão de Operação: 60V
- Corrente de Operação: 30A
- Tempo de Transiente: 15ns
- Resistência de On: 0.024?
- Capacidade de Comutação: Alta
- Frequência de Operação: Até 200kHz
- Tempo de Retorno (tr): 80ns
- Tempo de Elevação (tf): 150ns
- Tempo de Retraso de Corte (td(on)): 20ns
- Tempo de Retraso de Saturação (td(off)): 25ns
- Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
- Pacote: 3mm x 3mm
- Estilo de montagem: Superficial
- Potência Dissipada: 25W
- Densidade de Corrente: 9000A/cm²
- Rise Time: 80ns
- Fall Time: 150ns
- Tempo de Retraso de Corte: 20ns
- Tempo de Retraso de Saturação: 25ns
- Capacidade de Comutação: Alta
- Fator de Utilização: 100%
- Tempo de Operação: Contínuo
- Tempo de Repouso: 1000ms
- Vida Útil: Longa vida útil
- Garantia: 2 anos
- Compatibilidade: Amplificadores de áudio, fontes de alimentação chaveadas, sistemas de gerenciamento de bateria, entre outros
- Material: Silicone
- Processo de Fabricação: Largura de camada fina
- Impedância: 0.024?
- Capacidade de Comutação: Alta
- Resistência de On: 0.024?
- Tempo de Retorno: 80ns
- Tempo de Elevação: 150ns
- Tempo de Retraso de Corte: 20ns
- Tempo de Retraso de Saturação: 25ns
- Frequência de Operação: Até 200kHz
- Tensão de Operação: 60V
- Corrente de Operação: 30A
- Capacidade de Comutação: Alta
- Tempo de Operação: Contínuo
- Tempo de Repouso: 1000ms
- Vida Útil: Longa vida útil
- Garantia: 2 anos