Transistor Igbt Powermesh 600v 11a 28w To220 Stgf14nc60kd

Atualizado em 14/08/2025

R$78,91

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Descrição e Detalhes do Produto

O Transistor IGBT Powermesh da STMicroelectronics é um dispositivo de alta potência para aplicações eletrônicas. Recursos: - Tecnologia Si - Caixa / Gabinete: TO-220-3 FP - Estilo de montagem: Through Hole Características: - Voltagem máxima do coletor - emissor: 600V - Corrente contínua do coletor: 11A - Dissipação de potência máxima: 28W Especificações: - Estilo de montagem: Through Hole - Configuração: Single - Voltagem máxima do coletor - emissor: 600V - Tensão de saturação do coletor - emissor: 2V - Tensão máxima do emissor do gate: -20V, 20V - Corrente contínua do coletor a 25ºC: 11A - Dissipação de potência (Pd): 28W - Temperatura operacional mínima: -55°C - Temperatura operacional máxima: 150°C - Série: STGF14NC60KD

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