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Descrição e Detalhes do Produto
O Rjp30e2 é um transistor de alta performance da marca DG, projetado especificamente para satisfazer as necessidades dos circuitos eletrônicos mais exigentes. Com seu design robusto e fácil de instalar, este componente é uma escolha segura e eficiente para projetos que requerem um nível elevado de desempenho e confiabilidade. Ele é ideal para aqueles que buscam uma solução individual de qualidade para suas aplicações eletrônicas, proporcionando um rendimento excepcional e resistência ao longo do tempo.
Recursos:
- Alta performance
- Design robusto
- Encapsulamento de furo passante (TH) facilita a montagem
- Suporta diversas aplicações
- Garantia de qualidade
- Solução individual
- Ajustável para diferentes quantidades
- Ótima relação custo-benefício
- Compatível com projetos eletrônicos complexos
- Suporta operação contínua em condições adversas
Características:
- Desenvolvido pela renomada marca DG
- Tipo de encapsulamento de furo passante (TH)
- Projetado para circuitos eletrônicos de alta exigência
- fácil e segura
- Resistência duradoura
- Permite otimização dos circuitos
- Melhora a eficiência geral dos sistemas
Especificações:
- Tipo de Transistor: Bipolar Junction Transistor (BJT)
- Corpo do Transistor: Encapsulado de furo passante (TH)
- Número de Leads: 3
- Tensão de Operação (Vce): 40V
- Corrente de Operação (Ic): 1A
- Frequência de Operação (fT): 500MHz
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
- Resistência do Contacto: < 1m?
- Capacidade de Saturação: Alta
- Resistência ao Eletrostático: Baixa
- Consumo de Energia: Mínimo
- Tolerância à Temperatura: Excelente
- Longevidade: Aumentada graças ao encapsulamento
Entrega até Sábado, 25 de outubro de 2025 para TODO o Brasil
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