6x Transistor Fet Mosfet P20n60 P20 N60 20n60

Atualizado em 14/08/2025

R$137,32

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Descrição e Detalhes do Produto

O Transistor Fet Mosfet P20N60, também conhecido como FQP20N60, é um MOSFET de canal N ideal para aplicações que requerem alta eficiência e confiabilidade. Este produto, disponível em 6 unidades, apresenta tensão de dreno-fonte de 600 V e potência dissipada de 417 W. Recursos: - Controle preciso - Resistência de dreno-fonte de 0.37 Ohm - Carga de porta de 61 nC Características: - Canal N - Tensão de dreno-fonte de 600 V - Potência dissipada de 417 W - Tensão de porta-fonte de 30 V - Tensão de limiar de 4.5 V - Corrente de dreno de 20 A - Temperatura de junção até 150 °C Especificações: - Tipo: MOSFET de canal N - Modelo: P20N60 / FQP20N60 - Tensão de dreno-fonte (Vds): 600 V - Potência dissipada (Pd): 417 W - Tensão de porta-fonte (Vgs): 30 V - Tensão de limiar (Vgs(th)): 4.5 V - Corrente de dreno (Id): 20 A - Temperatura de junção (Tj): 150 °C - Carga de porta (Qg): 61 nC - Resistência de dreno-fonte (Rds): 0.37 Ohm

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