5x Transistor Irg7r313u = Irg7r313 = Irg 7r313 - To252

Atualizado em 14/08/2025

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Descrição e Detalhes do Produto

O IRG7R313 é um transistor IGBT projetado para painéis de plasma, com baixa tensão de saturação e alta eficiência. Ele suporta até 650V e 30A, operando entre -55°C e 150°C. Recursos: - Tecnologia avançada de trench IGBT - Operação em temperatura variável de -55°C a 150°C Características: - Baixa tensão de saturação - Alta eficiência energética - Suporta 650V - Suporta 30A Especificações: - Modelo: IRG7R313 - Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - Aplicação: Painéis de Plasma (PDP) - Tensão de Coletor-Emissor (VCE): 650V - Corrente de Coletor (IC): 30A - Temperatura de Operação: -55°C a 150°C - Encapsulamento: TO-252

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