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Descrição e Detalhes do Produto
O transistor SMD PMBTA42 é um componente eletrônico de grande utilidade para qualquer projeto de eletrônica, especialmente quando o assunto é amplificação de sinais e chaveamento. Este dispositivo é projetado para operar em uma variedade de condições ambientais, oferecendo confiabilidade e durabilidade. Seu design compacto e robusto, encapsulado no pacote SOT23, facilita sua integração em circuitos modernos, proporcionando uma solução versátil e eficiente para diversas aplicações. Com uma tensão coletor-emissor de 300V e uma corrente coletor-base de 100mA, este transistor é ideal para trabalhos de média potência, garantindo desempenho superior em sua função principal de amplificação e controle de circuitos.
Recursos:
- Facilidade de montagem em superfície (SMD), permitindo uma rápida e precisa em circuitos integrados.
- Design compacto, ocupando menos espaço em circuitos limitados, o que é ideal para projetos onde a economia de espaço é crucial.
- Resistente a vibrações e choques, o que aumenta sua durabilidade e confiabilidade em aplicações móveis ou industriais.
- Capacidade de suportar tensões de até 300V, o que o torna adequado para amplificar sinais de alta tensão.
- Corrente coletor-base de 100mA, o que permite que ele controle grandes cargas de energia, sendo útil tanto para amplificação quanto para chaveamento.
- Operação em uma ampla gama de temperaturas, desde -40°C até +150°C, o que o torna versátil para diversos tipos de aplicações.
Características:
- É um transistor NPN, o que significa que consegue controlar uma corrente maior com uma menor corrente na base, tornando-o muito eficiente em amplificação de sinais.
- O encapsulamento SOT23 é um invólucro de montagem em superfície que facilita a em circuitos integrados, além de ser resistente a vibrações e choques.
- Com uma tensão coletor-emissor de 300V, ele pode lidar com grandes variações de tensão sem comprometer seu desempenho ou segurança.
- A corrente coletor-base de 100mA permite que ele suporte uma grande carga, fazendo dele uma opção adequada para amplificação de sinais de média potência.
- Ele opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C, o que o torna apto para uso em ambientes extremos, como veículos ou equipamentos industriais.
Especificações:
- Tipo: Transistor NPN
- Encapsulamento: SOT23
- Tensão Coletor-Emissor (VCE): 300V
- Corrente Coletor-Base (ICB): 100 mA
- Faixa de Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
- Corrente de Emissão (ICEO): Máx. 150 mA
- Corrente de Base (IB): Máx. 6 mA
- Relação de ganho de corrente (hfe): 200-350
- Potência dissipada (PD): Máx. 100 mW
- Tempo de transição: T(on) = 50ns, T(off) = 80ns