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Descrição e Detalhes do Produto
O Transistor IRF640 é um componente essencial para diversos projetos eletrônicos, oferecendo excelência em desempenho e confiabilidade. Esta peça é ideal para quem busca uma solução robusta e eficiente em aplicações de circuitos de alta potência. Com a homologação Anatel Nº:, você pode ter certeza de que está adquirindo um produto de qualidade e segurança. Este transistor MOSFET de canal N é perfeito para aqueles que precisam de uma solução com alta corrente e potência, suportando até 18 A e 125 W, respectivamente, com uma voltagem de operação máxima de 200 V. Seu modelo TO220 é reconhecido por sua durabilidade e eficiência, tornando-o uma opção muito versátil para diferentes aplicações. Além disso, a baixa resistência Rds de apenas 0.18 Ohm garante uma dissipação de energia mínima, melhorando ainda mais o desempenho do seu projeto. Este produto é novo e original, ideal para quem busca alta performance e precisa de componentes de alta qualidade para seus projetos eletrônicos.
Recursos:
- Alta corrente e potência
- Voltagem de operação elevada
- Baixa resistência Rds
- Baixa dissipação de energia
- Durabilidade
- Eficiência
- Homologação garantida
- Componente novo e original
Características:
- Suporta uma corrente máxima de 18 A
- Possui uma potência máxima de 125 W
- Voltagem máxima de 200 V
- Canal N
- Resistência Rds de 0.18 Ohm
- Baixa dissipação de energia
- Modelo TO220
- Eficiência e durabilidade
- Homologação Anatel Nº:
Especificações:
- Tipo: MOSFET
- Canal: N
- Corrente Id: 18 A (Tj): 150 °C
- Potência Pd: 125 W
- Voltagem |Vds|: 200 V
- Voltagem |Vgs|: 20 V
- Voltagem |Vgs(th)|: 4 V
- Capacidade de carga Cd: 2100 pF
- Carga de gatilho Qg: 55 nC
- Resistência Rds: 0.18 Ohm
- Modelo: TO220
- Homologação Anatel: Nº: