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Irfb4227 Transistor Mosfet N-ch 5 Pçs

Atualizado em 14/08/2025

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Descrição e Detalhes do Produto

O HEXFET® Power MOSFET é projetado para recuperação de energia e troca de passagem em painéis de tela de plasma, oferecendo alta eficiência e confiabilidade. Recursos: - Baixa resistência por área de silício - Baixa classificação EPULSE Características: - Temperatura de junção: 175 °C - Capacidade de alta corrente de pico repetitiva Especificações: - Destinado a aplicações de condução PDP

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Natan Mascarenha da silva