20x Transistor 2n3055 - St - Qualidade Superior

Atualizado em 14/08/2025

R$223,37

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Descrição e Detalhes do Produto

O Transistor 2N3055 é um componente eletrônico de potência NPN que se destaca pela sua robustez e confiabilidade. Ideal para amplificadores de áudio e fontes de alimentação reguladas, este transistor oferece excelente desempenho e durabilidade, tornando-se uma ferramenta essencial para qualquer profissional da eletrônica. Com uma tensão máxima de coletor-emissor de 60V e uma corrente máxima do coletor de até 15A a 25°C, o 2N3055 é perfeito para aplicações que exigem amplificação de potência. Além disso, seu encapsulamento TO-3 facilita a em diversas placas de circuito, tornando-o um item indispensável para montagens e projetos de alto desempenho. Recursos: - Amplificação de áudio de alta qualidade - Fontes de alimentação reguladas eficientes - Fácil integração em diversos tipos de circuitos - Resistência ao desgaste prolongada - Alta capacidade de dissipação térmica - Baixa resistência de onda de corrente - Alta estabilidade de frequência - Suporte a operação contínua em ambientes quentes - Capacidade de suportar variações de tensão - Desempenho constante em diferentes condições operacionais Características: - Projeto para lidar com correntes e potências relativamente altas - Tensão máxima de coletor-emissor de 60V - Corrente máxima do coletor de até 15A a 25°C - Construção robusta e confiável - Ótimo para circuitos de comutação - Suporta amplificação de potência - Encapsulamento TO-3 para fácil em placas de circuito - Operação estável em condições normais de temperatura - Capacidade de gerenciar grandes cargas elétricas - Ajuste fino para diferentes níveis de potência Especificações: - Tipo: Transistor de potência NPN - Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 60V - Corrente máxima do coletor (Ic): 15A a 25°C - Tensão de base-emissor (Vbe): 0.7V a 25°C - Resistência de onda de corrente (hfe): 40 a 80 (dependendo da aplicação) - Temperatura de operação: -55°C a +150°C - Tensão de base-collector (Vbc): -6V a +6V - Potência dissipada (Pc): 65W - Diodo de proteção integrado - Material: Silício - Encapsulamento: TO-3 - Pinos: 3 (Coletor, Base e Emissor)

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