20x Transistor 2n3055 - St - Qualidade Superior
Atualizado em 14/08/2025
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Descrição e Detalhes do Produto
O Transistor 2N3055 é um componente eletrônico de potência NPN de alta qualidade, projetado especificamente para lidar com correntes e potências consideráveis. Ideal para projetos que exigem amplificação de potência, este transistor é uma escolha essencial para qualquer profissional da eletrônica. Com uma construção robusta e confiável, o 2N3055 é perfeito para circuitos de comutação e outras aplicações onde a performance precisa ser consistente e duradoura. Seu desempenho excepcional torna-o um item indispensável em qualquer estoque de componentes eletrônicos de potência.
Recursos:
- Encapsulamento TO-3: Este formato robusto permite uma fácil em diversas placas de circuito, proporcionando um design compacto e seguro.
- Alta tensão de operação: Com suporte até 60V, o 2N3055 pode lidar com situações de sobrecarga de tensão sem danificar.
- Alta corrente de coletor: Ele pode gerar até 15A a 25°C, garantindo a amplificação de potência necessária para muitos aplicativos.
- Baixa resistência de saturação: Contribui para uma melhor eficiência e menor dissipação de energia.
- Baixa resistência de base: Isso significa que o controle da corrente coletora é mais preciso e eficiente.
- Baixo ruÃdo: Proporciona uma qualidade de sinal superior em amplificadores de áudio.
- Longa vida útil: ConstruÃdo para durar, o 2N3055 oferece um excelente desempenho ao longo do tempo.
CaracterÃsticas:
- É um transistor NPN de potência.
- Construção robusta e confiável.
- Projeto adequado para amplificação de potência.
- Perfeito para circuitos de comutação.
- Excelente para fontes de alimentação reguladas.
- Capacidade de lidar com correntes e potências altas.
- DisponÃvel no encapsulamento TO-3, facilitando a em diversas placas de circuito.
- Suporta uma tensão máxima de coletor-emissor de 60V.
- Corrente máxima do coletor de até 15A a 25°C.
- Ótimo para uso em amplificadores de áudio.
- Aproveita-se em aplicações industriais devido à sua confiabilidade.
Especificações:
- Tipo de Transistor: NPN
- Tensão Máxima de Coletor-Emissor (Vce): 60V
- Corrente Máxima do Coletor (Ic): 15A a 25°C
- Corrente de Base (Ib): 0.25mA a 25°C
- Resistência de Base (Rb): 4k? a 25°C
- Resistência de Saturação (Rce): 20? a 25°C
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
- Ressonância de Cut-off (fT): 100MHz
- Tensão de Cut-off (Vcb): 6V
- Capacidade de Resposta (f?): 100MHz
- Diferença de Tensão entre Coletor e Emissor (Vce(sat)): 2V a 25°C
- Capacidade de Resposta de Base (f?): 100MHz
- Tempo de Retorno da Base (tBR): 15ns
- Tempo de Retorno do Coletor (tRC): 18ns
- Capacidade de Resposta do Emissor (f?): 100MHz
- Capacidade de Resposta do Emissor (f?): 100MHz
- Diâmetro do Coletor: 1.5mm
- Diâmetro do Emissor: 1.5mm
- Espessura do Emissor: 0.75mm
- Espessura do Coletor: 0.75mm
- Material do Emissor: SilÃcio
- Material do Coletor: SilÃcio
- Material do Base: SilÃcio