10x Transistor Ir Irf1404 1404
Atualizado em 14/08/2025
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Descrição e Detalhes do Produto
O Transistor IRF 1404 é um componente crucial na eletrônica de potência, especialmente projetado para aplicações onde a eficiência e a capacidade de gerenciamento de correntes são essenciais. Este FET de canal N oferece uma excelente combinação de desempenho e robustez, permitindo que você controle a condução de corrente com precisão quando o gate está positivo em relação à fonte. Seu design tridimensional e sua construção robusta garantem que ele funcione perfeitamente em situações de alta tensão e alta corrente, fazendo dele uma escolha ideal para projetos que exigem uma performance superior e confiável.
Recursos:
- Controla a corrente entre o dreno e a fonte
- Variando a tensão aplicada ao gate
- Funciona em modos de corte e saturação
- Suporta altas tensões (40V)
- Suporta altas correntes (162A)
- Baixa resistência (0,004 ohm)
- Alta potência de dissipação (330W)
- Freqüência de operação máxima de 20 MHz
- Design tridimensional para maior eficiência
- Construção robusta para suportar operações contÃnuas
- Capacidade de operar em inversores, conversores, fontes chaveadas e drivers de motor
CaracterÃsticas:
- É um FET de canal N
- Permite a condução de corrente quando o gate está positivo em relação à fonte
- Tensão máxima entre o dreno e a fonte (Vds): 40V
- Corrente máxima entre o dreno e a fonte (Ids): 162A
- Resistência entre o dreno e a fonte (Rds): 0,004 ohm
- Potência máxima de dissipação (Pd): 330W
- Frequência máxima de operação (f): 20 MHz
- Três terminais: dreno (D), fonte (S) e gate (G)
- Operação em dois modos: corte ou saturação
- Ideal para aplicações de alta potência
Especificações:
- Tensão máxima entre o dreno e a fonte (Vds): 40V
- Corrente máxima entre o dreno e a fonte (Ids): 162A
- Resistência entre o dreno e a fonte (Rds): 0,004 ohm
- Potência máxima de dissipação (Pd): 330W
- Frequência máxima de operação (f): 20 MHz
- Terceiro terminal: gate
- Operação em modos de corte e saturação
- Capacidade de alta potência
- Tensão de gate: não especificada, mas varia dependendo do modelo
- Tipo de dispositivo: FET de canal N
- Tensão de operação: não especificada, mas geralmente compatÃvel com tensões de alimentação tÃpicas
- Tamanho fÃsico: não especificado, mas projetado para uso em circuitos de alta densidade
- Temperatura de operação: não especificada, mas pode variar dependendo da aplicação
- Peso: não especificado, mas leve e compacto
- Compatibilidade: compatÃvel com diversos circuitos de eletrônica de potência
Entrega até Sexta-feira, 22 de agosto de 2025 para TODO o Brasil
